IMZC120R012M2HXKSA1-Лист данных
- Очень низкие потери переключения.
- Операция перегрузки до Tвж= 200°С.
- Время выдерживания короткого замыкания 2 мкс.
- Сильный корпусный диод для жесткой коммутации.
- Технология взаимосвязи XT для повышения тепловой производительности.
IMZC120R012M2H - это 1200 В, 12 мΩ N-канальный карбид кремния (SiC) MOSFET от Infineon Technologies, предназначенный для высокоэффективных и высокомощных приложений.