продукты

производителей

О нас

Новости

RFQ

Партнер с нами

russian

Домой > продукты > Дискретные продукты полупроводника >

NE856M02-T1-AZ

NE856M02-T1-AZ

производитель:

Корпорация "Ренесас"

Описание:

То же самое, что 2SC5336 NPN SILICON AMPL

Пакет изделий поставщика:

СОТ-89

скачать

Быстрый RFQ

В наличии:

Пожалуйста, отправьте запрос, мы ответим немедленно. (*является обязательным)

Подробная информация о продукции

Мр. Часть #:

NE856M02-T1-AZ

Запасы:

35000

Категория продукции:

Транзисторы - двухполярные (BJT) - RF

Ток - коллектор (Ic) (макс.):

100 мА

Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:

50 @ 20mA, 10В

Частота - переходный период:

6.5 ГГц

Прибыль:

12 дБ

Тип установки:

Поверхностный монтаж

Число шума (dB Typ @ f):

10,8 дБ @ 1 ГГц

Операционная температура:

150°C (TJ)

Пакет / чемодан:

TO-243AA

Мощность - Макс:

1.2w

Статус продукта:

В последний раз покупал

Тип транзистора:

НПН

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):

12 В

Описание продукта

NE856M02-T1-AZ Родственные продукты

2N3499

2N3499Лист данных

Узнайте больше

2N3500

2N3500Лист данных

Узнайте больше

NE97833-T1B-A

NE97833-T1B-AЛист данных

Узнайте больше

BLT50,115

BLT50,115Лист данных

Узнайте больше

BFR93AR,215

Узнайте больше

BFP420H6327XTSA1

Типичные применения Усилители с низким уровнем шума (LNA): идеально подходят для использования в радиочастотных системах связи. Осцилляторы: Подходят для осцилляторов до 10 ГГц. Смесители: используются в приложениях для смешивания частот из-за их высокой прибыли и низких характеристик шума.

Узнайте больше

BFG93A/X,215

Узнайте больше

SD1274

Узнайте больше

SD1275

Узнайте больше

NTE2633

Узнайте больше

MX0912B251Y

Узнайте больше

ОН5040

Узнайте больше

RX1214B300YI

Узнайте больше

ОН5087115

Узнайте больше

BFQ19SH6359XTMA1

Узнайте больше

BFP540

Узнайте больше

BFP183

Узнайте больше

BFR35AP

Узнайте больше

KST10MTF

Узнайте больше

2SC2620QCTL-E

Узнайте больше